زرنيخيد إنديوم غاليوم
زرنيخيد إنديوم غاليوم InGaAs عبارة عن مادة نصف ناقلة تتألف من الإنديوم والغاليوم والزرنيخ. تستعمل في الإلكترونيات عالية التواتر ، وذلك نظراً لسرعة الإلكترون الفائقة مقارنة مع غيرها من أنصاف النواقل.
ملف:Nuvola apps edu science.svg | هذه بذرة مقالة عن الكيمياء تحتاج للنمو والتحسين، فساهم في إثرائها بالمشاركة في تحريرها. |
Indium gallium arsenide]] es:Arseniuro de indio y galio